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快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

High Speed 1.3μm InGaAsP/InP Mesa-Structure Edge-Emitting LEDs

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【作者】 赵蔚； 张玉书； 石家纬； 金恩顺； 高鼎三；

【Author】 Zhao Wei/Department of Electronic Science, Jilin University, ChangchunZhang Yushu/Department of Electronic Science, Jilin University, ChangchunShi Jiawei/Department of Electronic Science, Jilin University, ChangchunJi Enshun/Department of Electronic Science, Jilin University, ChangchunGao Dingsan/Department of Electronic Science, Jilin University, Changchun

【机构】 吉林大学电子科学系； 吉林大学电子科学系 长春 东北师范大学电化教育系(长春)； 长春； 长春；

【摘要】 本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。

【Abstract】 High-speed 1.3μm InGaAsP/InP mesa-structure edge-emitting LEDs have been fabricatedby liquid-phase epitaxy.The modulation bandwidth has been increased by heavy Zn doping inthe active region and by introducing a mesa-structure.A -3dB modulation bandwidth of500 MHz and light output power of 130μW at 70 mA have been obtained.

【关键词】 调制带宽； 调制深度； 光谱半宽；
【Key words】 Modulation bandwidth； Modulation depth； Spectrum half-width；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1990年08期
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