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(100)硅上硅化钽膜氧化性质的研究

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【作者】 张爱珍；

【机构】 北京半导体器件研究所；

【摘要】 本文综述了我们关于Tasi2/（100）Si膜氧化性质研究的若干实验结果,其中包括常压和高压氧化下的氧化规律、氧化形貌、退火条件、氧化压力等因素对氧化过程中SiO2-Tasix-Si三层结构内Si、Ta、O原子输运的影响。

【关键词】 原子输运； 高压氧化； 氧化层厚度； 退火条件； 扩展电阻； 薄层电阻； 氧化压力； 衍射谱； 氧化温度； 共溅射；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年02期
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