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多层结构ISFET传感器特性的研究

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【作者】 祁增芳； 余剑平；

【机构】 南开大学电子科学系； 南开大学电子科学系；

【摘要】 本文着重研究了Si3N4/SiO2、Ta2O5/SiO2、Ta2O5/Si3N4/SiO2、Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H+-ISFET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讨论。

【关键词】 多层结构； ISFET； 传感器特性； 样管； 多层介质； 场效应晶体管； 介质膜； 阈值电压； 测试数据； 新型传感器；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1990年01期
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