【作者】 廖常庚; 郑志豪;
【机构】 兰州大学现代物理系; 兰州大学现代物理系;
【摘要】 <正> 分子离子注入半导体材料是一个有效的降低杂质原子能量,快速行成非晶层的有效方法。用BF2+分子离子注入硅中形成的浅结器件可能较B+原子离子注入更为有益。测定和研究BF2+分子离子注入硅后硼原子的深度分布,并与B+原子离子注入的深度更多还原