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注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
Simulation of Oxygen Distribution in the Oxygen Implanted SOI Structure
【摘要】 我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.
【Abstract】 An emperieal formula to simulate the oxygen implanted distribution for SIMOX techniquehave been proposed.Using this formula,the simulation results are in good agreement with so-me experimental and former theoretical results. Our formula is both simple and accurate,which is suitable for using as a part of the VLSI complete process simulator.
【关键词】 SIMOX技术;
氧注入;
注入分布;
工艺模拟;
【Key words】 SIMOX technique; Oxygen implantation; Implanted profile profile; process simulation;
【Key words】 SIMOX technique; Oxygen implantation; Implanted profile profile; process simulation;
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年07期
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