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亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造

Fabrication of Submicron Gate Length Modulation Doped AlxGa1-xAs/GaAs Field Effect Transistors

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【作者】 杨玉芬； 陈宗圭； 张矩；

【Author】 Yang Yufen/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingChen Zhonggui/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingZhang Ju/Beijing Institute of Technology

【机构】 中国科学院半导体研究所； 北京工业学院物理系 北京； 北京； 北京；

【摘要】 本文简述了调制掺杂场效应管（MODFET）材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×1015cm-3),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.

【Abstract】 This paper describes the design principle of modulation doped AlxGa1-x As/GaAs fieldeffect transistors （MODFET）,processing steps of gate length as short as 0.2μm with T typegate and the conditions of the E-Beam lithography to obtain submicron gate length.Trans-conductances of the order of 200 mS/mm at room temperature and 375 mS/mm at 77K aremeasured.

【关键词】 调制掺杂； 二维电子气； 亚微米栅长； 场效应晶体管；
【Key words】 Modulation doped； Two-dimensional electron gas； Submicron gate length； Field effect transistors；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年03期
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