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1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器

1.5μm InGaAsP/InP P Substrate Buried Crescent (PBC) Lasers

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【作者】 彭怀德； 马朝华； 汪孝杰； 张盛廉； 吕卉； 王丽明； 武淑珍； 马骁宇； 张洪琴；

【Author】 Peng Huaide/Institute of Semiconductors, Academia SinicaMa Chaohua/Institute of Semiconductors, Academia SinicaWang Xiaojian/Institute of Semiconductors, Academia SinicaZhang Shenglian/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLu Hui/Institute of Semiconductors, Academia SinicaWang Liming/Institute of Semiconductors, Academia SinicaWu Shuzhen/Institute of Semiconductors, Academia SinicaMa Xiaoyu/Institute of Semiconductors, Academia SinicaZhang Hunggin/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.

【Abstract】 The fabrication and characteristics of 1.5 μm PBC laser diodes are presented.The thre-shold current of the diode is typically 20 mA, and it can be as low as 15 mA for some laserdiodes The maximum lasing temperature is 105℃.

【关键词】 1.5μm； 激光器； 新月型； 最高连续工作温度；
【Key words】 1.5μm； Laser； Buried crescent； Maximum CW lasing temperature；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1989年02期
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