【作者】 蔡跃明； 吕世骥；
【机构】 南京通信工程学院理化室； 东南大学微电子中心；
【摘要】 本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般形式,并对SiO2膜中的电子陷阱密度、能级和俘获截面进行了测量.结果表明测量陷阱密度时不能忽略激发因素的影响.更多还原
