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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）SnO2薄膜及其性质研究

A Study on Properties of the SnO2 Films by PECVD Method

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【作者】 吕德安； 戴国瑞； 邵丽梅； 张晓燕；

【Author】 Lu Dean. Dai Guorui, Shao Limei and Zhang Xiaoyan (Department of Electronics Science, Jilin University)

【机构】 吉林大学电子科学系； 吉林大学电子科学系； 吉林大学电子科学系 1985年吉林大学电子科学系毕业生； 1985年吉林大学电子科学系毕业生；

【摘要】 本文采用PECVD技术,在SnCl4和氧等离子体气氛中,于250℃衬底温度,在有SiO2表面层的硅单晶衬底片上沉积了SnO2,薄膜。并对该膜的化学组成、表面形貌及其它性质做了研究。

【Abstract】 The ultrafine particles of the tin dioxide （SnO2） films were success-fully fabricated at 250℃ by plasma enhancing chemical vapor deposition（PECVD） onto the SiO2 films grown on a silicon substratc. The chemical components, surface morphologies and the other properties of the SnO2 films were investigated by means of the modern analysis instruments.

【关键词】 等离子体； 沉积； 薄膜；
【Key words】 plasma； deposition； film.；
  • 【文献出处】 吉林大学自然科学学报 ,Journal of Jilin University , 编辑部邮箱 ,1988年01期
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