硅的CF₄增强等离子体氧化与氮化研究

【摘要】 本文描述了含CF₄的等离子体低温300～600℃氧化与氮化工艺。对CF₄含量与膜厚的关系作了探索。当CF₄含量较少（CF₄/O₂<1/400）时,有利于氧化反应,且在这个区域中,在相同条件下膜厚与CF₄含量成正比。当CF₄含量较大时,反应转为等离子体刻蚀占优势,随着CF₄含量增大,膜不断减薄。研究了增速区域的200～500（?）氧化膜生长工艺,C—V测试表明,膜质优于不含CF₄的等离子体生长的膜。经AES分析,膜中不存在C,F峰。等离子体氮化亦因加入少许CF₄而更易进行。并探讨了膜的生长机理。更多还原