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1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

InP/InGaAsP Multi-Blocking Layer Buried Crescent Laser Emitting at1.3μm with Low Threshold Current

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【作者】 肖建伟； 薄报学； 衣茂斌； 马玉珍； 高鼎三；

【Author】 Xiao Jianwei/Department of Electronics Science,Jilin University,ChangchunBo Baoxue/Department of Electronics Science,Jilin University,ChangchunYi Maobin/Department of Electronics Science,Jilin University,ChangchunMa Yuzhen/Department of Electronics Science,Jilin University,ChangchunGao Dingsan/Department of Electronics Science,Jilin University,Changchun

【机构】 吉林大学电子科学系； 吉林大学电子科学系 长春； 长春； 长春；

【摘要】 我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.

【Abstract】 1.3μm InP/InGaAsP multi-blocking layer buried crescent lasers have been fabricated bytwo step LPE growth processes.The typical and the minimum CW threshold currents are20 mA and 10 mA, respectively.Stable fundamental transverse mode operation has been ob-tained at three to five times of the threshold current.The differential quantum efficency perfacet is about 20--30%.

【关键词】 InP/InGaAsP激光器； 多层限制； 低阈值； 基横模； 结电容；
【Key words】 InP/InGasP lasers； Low threshold current； Fundamental transverse mode； Multi-blocking layer； Junction capacitance；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1988年06期
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