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二氧化硅的表面改性

Modifying SiO2 Surface State

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【作者】 韩阶平； 王培大； 徐卫东； 金钟元； 陈梦真；

【Author】 Han Jieping/Microelectronic Research and Development Centre,Academia Sinica,BeijingWang Peida/Institute of Semiconductor, Academia Sinica.Xu Weidong/Microelectronic Research and Development Centre,Academia Sinica,BeijingJin Zhongyuan/Microelectronic Research and Development Centre,Academia Sinica,BeijingChen Mengzhen/Microelectronic Research and Development Centre,Academia Sinica,Beijing

【机构】 中国科学院微电子中心； 中国科学院半导体研究所； 中国科学院微电子中心 北京； 北京； 北京；

【摘要】 本文提出一种改变SiO2表面特性的新方法.当用一定能量的电子轰击二氧化硅表面时,二氧化硅的腐蚀特性发生了很大变化.在同一工艺条件下,未经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率为700—1000A/分,经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率近于零.

【Abstract】 A novel technique for modifying SiO2 surface state is presented. After the SiO2 surfaceis bombarded by electrons under certain energy,the variation of etching rate is observed ap-parently.The etch rate of unbombarded SiO2 is about 700-1000 A/min.However,no obvious-ly etching is observed for bombarded samples.

【关键词】 SiO2膜； 表面改性； 电子轰击；
【Key words】 SiO2 film； Surface modefy； Electron bombard；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1988年02期
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