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高阻硅低温欧姆接触

Low Temperature Ohmic Contacts on High Resistivity Silicon

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【作者】 李刚； 沈复初； 姚奎鸿； 阙端麟；

【Author】 Li Gang/Semiconductor Materials Institute, Zhejiang University,HangzhouShen Fuchu/Semiconductor Materials Institute, Zhejiang University,HangzhouYao Kuihong/Semiconductor Materials Institute, Zhejiang University,HangzhouQue Duanlin/Semiconductor Materials Institute, Zhejiang University,Hangzhou

【机构】 浙江大学半导体材料研究所； 浙江大学半导体材料研究所 杭州； 杭州； 杭州；

【摘要】 提出用激光诱导扩散法在室温电阻率大于15,000(Ω·cm)的P型高阻硅上制备低温欧姆接触(77—300K).研究了激光参数对低温比接触电阻值的影响关系,结合诱导区表面热学性质的理论计算讨论了实验结果.比较了二种不同的铟焊引线方法.

【Abstract】 The method to employ the laser-induced diffusion is developed to make the low tempera-ture ohmic contacts (77-300 K) on high resistivity P-type silicon (the room temperature resis-tivity greater than 15,000 Ohm-cm).The effect of laser parameters on the low temperaturespecific contact resistance of ohmic contacts is discussed in combination with the theoretic calcu-lation of the laser-induced regions.Two different welding ways are compared.

【关键词】 硅； 欧姆接触； 激光；
【Key words】 Silicon； Ohmic contact； Laser；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1988年02期
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