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AlxSi1-x的电子结构

Electronic Structure of AlxSi1-x

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【作者】 陆奋； 尹琦； 张开明；

【Author】 Lu Fen/Modern Physics Institute, Fudan University,ShanghaiYin Qi/Modern Physics Institute, Fudan University,ShanghaiZhang Kaiming/Modern Physics Institute, Fudan University,Shanghai

【机构】 复旦大学现代物理研究所； 复旦大学现代物理研究所 上海； 上海； 上海；

【摘要】 本文用VCA和CPA方法计算了AlxSi1-x合金的电子态密度.能带计算采用经验LCAO方法.所得结果与Verges用非晶的Bethe晶格模型的计算结果相符.据我们所知,这是首次尝试用VCA和CPA方法研究非晶体系的电子结构.

【Abstract】 The densities of electronic states for alloy AlSi1-xare calculated by the VCA and CPAmethods.The empirical LCAO method is used to calculate the energy band. The results ob-tained agree well with those given by Verges using random Bethe lattice model.It is believedthat this is the first attempt to investigate electronic structures of amorphous systems by theVCA and CPA methods.

【关键词】 虚晶近似； 相干势近似； 原子轨道线性组合； 非晶合金； Bethe晶格； 电子态密度；
【Key words】 VCA； CPA； LCAO； Amorphous alloy； Bethe lattice； Density of electronic states；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1988年01期
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