【作者】 惠恒荣； 向勇； 周大龙； 张小平； 李梅；
【机构】 成都电讯工程学院； 七三九半导体材料研究所； 七三九半导体材料研究所；
【摘要】 本文介绍了运用辉光分解硅烷法制备a-Si:H薄膜的基本原理、设备及工艺,采用不同的工艺条件制备了一系列不同的掺杂和本征a-Si:H薄膜,对掺杂样品的电导率进行了检测.结果表明,掺杂显著地提高了材料的电导率.更多还原
