【作者】 应再生；
【机构】 上海交通大学应用物理系；
【摘要】 本实验用CF4进行硅的反应离子刻蚀,并用发射光谱法进行终点检测。在可见光范围内进行了全谱扫描,找到与国外报导一致的最灵敏线7037.45（?）。讨论了提高信噪比的方法以满足小信号的终点检测,并从光谱变化现象讨论了刻蚀和检测的机理。更多还原
