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SiO2-C-NH3系Si3N4合成的热力学特性

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【作者】 刘方兴； 雅菁；

【机构】 天津大学； 天津大学；

【摘要】 本文根据热力学计算、分析讨论了SiO2-C-NH3系SiC生成的临界温度,并提出了该系统Si3N4合成的一种可能的反应机理。

【关键词】 反应机理； SiO2-C-NH3； Si3N4； 热力学计算； 气相反应； 反应速率； 生成反应； 热力学数据； 转变温度； 衍射峰；
  • 【文献出处】 硅酸盐通报 ,Bulletin of the Chinese Ceramic Society , 编辑部邮箱 ,1987年06期
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