【作者】 方培生； 黄强； 何益新； 崔吾元； 丰达明；
【机构】 西安交通大学； 冶金部广州有色院；
【摘要】 <正> 我们采用半导体平面工艺技术,制造栅绝缘膜为Si3N4/SiO2的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件,再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器件灌封在聚乙烯塑料管中。将铬离子敏感更多还原
