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对VN系列VMOS功率场效应管输入电容的改善设计

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【作者】 段力军；

【机构】 八七七厂；

【摘要】 <正>VN系列VMOS功率场效应管自1984年7月设计定型以来,用户以及本研制小组针对系列产品中普遍存在的问题作了一些探讨并提出了改进意见.其中主要一点是VN系列产品的输入电容(C?过大的问题.VMOS功率场效应管目前主要用于各种微功率驱动电路、高频电路以及大容量电流源电路中,这些电路一般要求输入阻抗高,开关速度快,频率响应

【关键词】 输入电容； 场效应管； VMOS； VN； 驱动电路； 开关速度； 高频电路； 电流源； 系列产品； 电容参数；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1987年05期
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