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硅集成电路和平面器件的常规管式炉快速合金化

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【作者】 陈存礼； 彭辉； 李联珠；

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系；

【摘要】 本文报导了一种用30秒钟的快速合金化代替常规热合金化实现Al-Si欧姆接触的简捷方法.该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,工艺简单,效果良好,节电,省时、时间比常现热合金化缩短40倍.

【关键词】 热合金； 硅集成电路； 欧姆接触； 简捷方法； 测试图形； 石墨块； 接触界面； 传输线模型； 扫描电镜照片； 反向电流；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1987年03期
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