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射频溅射a—Si:H的光致发光光谱

Photoluminescence Spectra of RF Sputtered a-Si:H

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【作者】 林再民； 丁小宁； 彭少麒；

【Author】 Lin zaiming Ding Xiaoning Peng Shaoqi

【机构】 中山大学物理学系； 中山大学物理学系；

【摘要】 <正> 在非晶硅a-Si∶H 中,由于长程无序性以及悬键、杂质缺陷的存在,使其迁移率隙中存在一定的局域态.这些态对材料的电学和光学性质均有很大的影响.光致发光谱能简易地提供有关局域态密度及其分布的很多有用信息,是研究非晶硅的一种很好的手段.另一方面,衬底温度是制备SP-a-Si∶H 的一个十分重要的工艺参数.本实验目的是研究SP-a-Si∶H 的光致发光特性,着重探讨衬底温度及退火对该特性的影响.

【Abstract】 The photoluminescence features of r.f.sputtered a-Si:H has been investiga-ted,with special emphasis on the influence of the substrate temperature andannealing.The results indicate that either suitable substrate temperature or an-nealing can improve the qualities of the amorphous silicon (a-Si:H) films.

【关键词】 光致发光光谱； 射频溅射； Si:H； 衬底温度； 迁移率隙； 杂质缺陷； 局域态密度； 光致发光特性； 光致发光谱； 非晶硅；
  • 【文献出处】 中山大学学报(自然科学版) ,Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni , 编辑部邮箱 ,1986年02期
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