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共蒸发硅化铌的性能和组织结构

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【作者】 徐炜； 李永洪；

【机构】 北京有色金属研究总院； 北京有色金属研究总院；

【摘要】 <正> 耐熔金属硅化物与掺杂多晶硅结合作为金属—氧化物—半导体（MOS）器件的栅电极和集成电路的内联线材料已成功的应用于超大规模集成电路（VLSI）技术中。一般对难熔金属硅化物如TiSi2、TaSi2、WSi2等研究得较多,对NbSi2研究得较少。本文用超高真空双枪电子束蒸发系统在多晶硅/SiO2/Si和SiO2/Si两种衬底上沉积

【关键词】 共蒸发； 栅电极； 难熔金属硅化物； 电子束蒸发； 组织结构； 高压电子显微镜； 薄层电阻； 双枪； 多层结构； 高温退火；
  • 【文献出处】 电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,1986年03期
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