【作者】 张国权； 岳德全； 罗桂隆； 董志江；
【机构】 复旦大学电子工程系； 复旦大学电子工程系；
【摘要】 本文叙述了一种能实用于半导体集成电路的低温退火离子注入电阻.它具有高精度低温漂的特点,与常规的离子注入电阻和扩散电阻相比,其温度系数要小一个数量级以上,并且能与MOS和双极型集成电路工艺相容.更多还原
