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用硼离子注入控制超导铌微桥的临界电流

Control of Critical Current of Niobium Superconducting Bridges by Boron Ion Implantation.

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【作者】 平一梅； 孙自强； 刘聚成； 陈怀溥； 绩兢荣；

【Author】 Ping Yimei, Sun Ziqiang, Liu Lucheng Xu Jingrong(Department of physics)

【机构】 西北大学物理系； 西北大学物理系；

【摘要】 实验证明,在超导微桥的桥区铌膜中注入硼离子,控制桥区铌膜的转变温度,弱化超导微桥的临界电流,是一种行之有效的方法。适当调整注入离子的能量和剂量,可以将微桥的临界电流降低2～3个数量级。

【Abstract】 Experiments show that Boron ion implantation in niobium films is an effective method for weakening critical current of superconducting bridges. By properly adjusting the energy and does of the implanted ions, the critical current of bridges can be decreased in two and even three orders of magnitude.

【关键词】 临界电流； 超导微桥； 超导薄膜； 转变温度； 离子注入； 常态电阻； 桥区； 注入能量； 序参数； 特性曲线；
  • 【文献出处】 西北大学学报(自然科学版) ,Journal of Northwest University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,1985年01期
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