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12MeV电子辐照缺陷能级的研究

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【作者】 吴凤美； 赖启基； 张莉华；

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系；

【关键词】 电子辐照； MeV； 直拉单晶硅； 少子； 双空位； 深能级瞬态谱； 器件寿命； 器件参数； 照射剂量； 辐照损伤；
  • 【文献出处】 物理 ,Physics , 编辑部邮箱 ,1985年09期
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