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用离子束曝光方法产生氮化硅图形

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【作者】 游本章；

【机构】 中国科学院电工研究所；

【摘要】 <正> 一、前言离子束曝光方法具有两大特点:一是离子束在抗蚀剂中不散射;二是离子束具有高能量密度。这两大特点决定着离子束曝光方法有以下几个主要优点:(1) 高分辨率;(2) 抗蚀剂对离子束具有较高的灵敏度;(3) 除能对聚合物抗蚀剂进行曝光外,还能对其它某些

【关键词】 抗蚀剂； 氮化硅； 高分辨率； 图形结构； 高能量密度； 掩模图； 铿离子； 半导体材料； 锉离子； 静电透镜；
  • 【文献出处】 电工电能新技术 ,Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy , 编辑部邮箱 ,1985年04期
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