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用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究

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【作者】 莫金玑； 郑燕兰； 江文达；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 用AsCl3-Ga-H2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度nT的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。

【关键词】 气相外延； MESFET； 缓冲层； 有源层； 沉积温度； 中心密度； 微波器件； 界面特性； 外延材料； 场效应晶体管；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1984年02期
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