【作者】 吴华生； 劳浦东； 邬建根； 屈逢源；
【机构】 复旦大学物理系； 复旦大学物理系；
【摘要】 <正> 实验用的原始单晶硅片取向[111],电阻率约10Ω-cm,在室温下以7°倾角注B+,离子束流10 μA,能量60keV,注入剂量7×1015cm-2。每块样品一半为离子注入区,一半为非注入单晶区。把每块样品各在乙二醇+硝酸盐+水的溶液中阳极氧化不同时间,长出不同厚度的二氧化硅层,并用椭圆偏振仪测出二氧化硅膜厚度,然后用氢氟酸除去二氧化硅膜,乘更多还原
