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无火焰原子吸收光谱测定痕量硅

Determination of Trace Silicon by Flameless AAS

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【作者】 徐学敏; 李希云; 崔仙航;

【Author】 Xu Xuemin,Li Xiyun,Cui Xianhang (Institute of Semiconductors, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院半导体研究所; 中国科学院半导体研究所;

【摘要】 <正> 痕量硅一般采用硅钼杂多酸分光光度法来测定,此法操作冗长、试剂空白高,不能适应高纯物质中痕量硅的测定。为此我们探索了无火焰原子吸收光谱测定痕量硅的条件,建立了测定痕量硅的方法。采用高温石墨炉原子吸收光谱测定硅已有报导,但由于硅能形成碳化物,使测定的灵敏度和精密度变坏。为了防止待测元素在石墨炉中形成碳化物,可在管内溅射涂层或放入内衬片;也可用能与石墨作用生成稳定碳化物的盐类预处理石墨炉管。处理方法可分二类:一是盐类溶液直接注入炉管内壁;二是用盐类溶液浸渍炉管,依据痕量分析的

【Abstract】 A method for determining trace concentrations of silicon in high purity water by flameless atomic absorption spectrometry is described.The sensitivity of this method is 1 ppb/1% absorption and RSD of the test at the 3 ppb silicon level is 8.9%. The method incorporates the addition of lanthanum to samples and standards to minimize the formation of silicon carbide, thereby enhancing sensitivity and reducing RSD.

  • 【文献出处】 光谱学与光谱分析 ,Spectroscopy and Spectral Analysis , 编辑部邮箱 ,1984年04期
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