水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究

【摘要】 <正> 做为衬底材料的各种掺杂和不掺杂的GaAs单晶材料中的微沉淀及微夹杂,都影响GaAs器件及集成电路的性能。我们用JEM-1000超高压电镜,采用选区电子衍射技术,研究了掺Si、掺Cr及纯度水平法生长（HB）低位错GaAs单晶中的As和C微小第二相的形态及结构。采用约化胞法、借助电子计算机计算约化胞数据表,来分析标定电子衍射花样确定结构。经电子衍射分析表明,掺Si、掺Cr及纯度水平法生（?）GaAs单晶中有二种结构类型As沉淀、一种为六方晶系As（a₀=3.76埃,c=10.55埃）,另一种为正交晶系As（a₀=3.63埃,b₀=4.45埃,C₀=10.96埃）,而且它们往往与α-方石英微沉淀（或微夹杂）或c微夹杂、或Cr_n As微沉淀共存（照片1）。电子衍射分析还表明,GaAs单晶中c的微夹杂是简单立方结构（a₀=5.55埃）。为了进一步验证水平法生长GaAs单晶中有c微夹杂存在,用JXA—50A扫描电子探针分析观察了,刚刚做好的电镜样品。更多还原