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由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性

Analysis of Deep Level in HgCdTe by Temperature Dependence of Capacitance

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【作者】 童斐明； 杨秀珍； 王戎兴；

【Author】 Fei-Ming Tong/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia SinicaYang Xiuzhen/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia SinicaWang Rongxing/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia Sinica

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所； 中国科学院上海技术物理研究所；

【摘要】 本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg1-xCdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.

【Abstract】 An experimental study of deep level in HgCdTe is reported.Measurements were carriedout on Hgl1-xCdxTe Photodiodes with alloy compositions between x=0.21 and x=0.28.The activation energy and density of traps are evaluated through the temperature depen-denee of P-N junction capacitance.

【关键词】 深能级； HgCdTe； 空穴陷阱； 激活能； 子注； 俘获截面； 半导体学报； 导纳电桥； 引吉； 红外探测器；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1984年03期
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