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分子束外延砷化镓单晶薄膜

MBE GaAs Single Crystal Films

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【作者】 孔梅影； 孙殿照； 黄运衡； 梁基本； 陈宗圭； 李歧旺；

【Author】 Kong Meiying/Institute of Semiconductors, Academia SinicaSun Dianzhao/Institute of Semiconductors, Academia SinicaHuang Yunheng/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLiang Jiben/Institute of Semiconductors, Academia SinicaChen Zonggui/Institute of Semiconductors, Academia SinicaLi Qiwang/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度（1.8-8）×1016cm-3,室温迁移率 3000-5000cm2/V.3最高达5466cm2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×104cm2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光（4.2K） 和SIMS 测量分析.

【Abstract】 GaAs films have been prepared by molecular beam epitaxy.Undoped MBE GaAs isn-type with net carrier concentration （1.8-8）×1016 cm-3 and mobility 3000-5000 cm2/V·s at room temperature.Its highest mobility is 5466 cm2/V·s (n=1.93×1016cm-3 witha corresponding mobility 1.59×104 cm2/V·s at 77K.Properties of high impurity level filmshave been studied with cathodoluminescence and SIMS.

【关键词】 砷化镓； 分子束外延； 外延层； 载流子浓度； 杂质浓度； 迁移率； 半导体学报； 原子级； 半绝缘； 外延生长；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1984年02期
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