【作者】 孟祥提； 张秉忠； 杜永昌； 张玉峰；
【机构】 清华大学核能所； 北京大学物理系； 北京大学物理系；
【摘要】 本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退火的影响,并作了讨论.更多还原
