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变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响

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【作者】 韩桂林； 王岚； 刘连元；

【机构】 中国科学院长春应用化学研究所； 中国科学院长春应用化学研究所；

【摘要】 <正> 为了制备高效多晶硅薄膜太阳电池及其它半导体薄膜光电器件,除了需要选择成膜工艺条件外,还应借助对工艺条件等的控制,实现对膜的电阻率及其剖面分布的有效控制,这在光伏电池及半导体器件研制过程中是很重要的。本工作基于上述目的,在用化学气相沉积法(C.V.D)制备多晶硅薄膜太阳电池过程中,对膜的电阻率及其剖面分布与各种工艺条件的关

【关键词】 工艺条件； 多晶硅薄膜； C.V.D； 剖面分布； 电阻率分布； 光伏电池； 半导体薄膜； 电阻率剖面； 少数载流子； 成膜工艺；
  • 【文献出处】 太阳能学报 ,Acta Energiae Solaris Sinica , 编辑部邮箱 ,1983年03期
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