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利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波段雪崩管

Fabrication of Centimeter Wave Impatt Diode Using Implanted Silicon and CW Nd: YAG Laser Annealing

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【作者】 朱美芳； 姚德成； 刘世祥； 石万全； 杨丽华；

【Author】 Zhu Meifang/Graduate School, University of Science & Technology of ChinaYao Decheng/Graduate School, University of Science & Technology of ChinaLiu Shixing/Graduate School, University of Science & Technology of ChinaShi Wanquan/Graduate School, University of Science & Technology of ChinaYang Lihua Institute of Semiconductors,Ministry of Post & Telecommunication)

【机构】 中国科技大学研究生院； 邮电部半导体研究所；

【摘要】 采用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波P~+nn~+结构雪崩二极管.器件输出功率达1.25W,效率达7.7％.与热退火工艺结果进行比较.讨论了将连续激光退火用于制备毫米波雪崩管的有利方面.

【Abstract】 Centimeter wave IMPATT diode with p~+nn~+ structure has been manufactured byusing Nd:YAG CW laser to anneal B~+ implanted Silicon. The diode’s output poweris 1.25 W and it’s effeciency reaches 7.7%. Comparison is made between the resultsof the laser annealing and those of the thermal annealing. The application of CWlaser annealing in making millimeter wave IMPATT diode is discussed.

【关键词】 激光退火； Nd:YAG； 雪崩二极管； 退火工艺； 子注； 输出功率； 离子注入； 外延生长； 突变结； 样管；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1983年02期
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