【作者】 邵永富； 陈自姚； 彭瑞伍；
【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；
【摘要】 <正> 为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在这方面所取得的一些结果。 C-V特性是研究电极/电解液界面特性更多还原
