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透明 AgGaS2单晶生长的初步探讨

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【作者】 程干超； 繆明华； 刘庆生；

【机构】 中国科学院安徽光学精密机械研究所； 中国科学院安徽光学精密机械研究所；

【摘要】 <正> Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的 AgGaS2是优良的中红外倍频混频材料,它具有大的非线性系数及强的双折射性能,在2—12μm 可满足二次谐波（SHg）的位相匹配。我们采用坩埚下降法生长该晶体,

【关键词】 单晶生长； AgGaS2； 坩埚下降法； 晶体质量； 非线性系数； 位相匹配； 混频； 中红外； 二次谐波； 温场；
  • 【文献出处】 人工晶体 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1982年Z1期
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