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用75As+和132Xe+离子注入Al2O3薄膜的Rutherford背散射分析

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【作者】 赵玉华； 郑胜男； 许国基； 徐永昌； 夏日源； 谭春雨； 李金华； 张永恩； 刘清前；

【机构】 中国科学院原子能研究所； 山东大学； 山东大学；

【摘要】 <正> 阳极氧化生成的Al2O3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al2O3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al2O3薄膜的厚度和注入离子在Al2O3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的4He+离子束测定了Al2O3中75As+和132Xe+的注入剂量、射程和射程分布,并对阳

【关键词】 Rutherford； 电解质材料； As； Al2O3； Xe； 射程分布； 离子注入； 背散射分析； 半导体器件； 半导体材料；
  • 【文献出处】 核技术 ,Nuclear Techniques , 编辑部邮箱 ,1982年04期
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