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电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨

Studies on the Possibility of Eliminating the CMOS Latch-up by Electron Irradiation

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【作者】 黄惠玲； 许寿祥； 邱兴镛； 张秀淼； 苏九令； 包宗明；

【Author】 Huang Huiling/Shanghai No.5 Element FactoryXu Shouxiang/Shanghai No.5 Element FactoryQiu Xingyong/Shanghai No.5 Element FactoryZhang Xiumiao/Fudan UniverstySu Jiuling/Fudan UniverstyBao Zongming/Fudan Universty

【机构】 上海元件五厂； 复旦大学； 复旦大学；

【摘要】 <正> CMOS电路中存在着pnpn寄生可控硅结构,见图1（a）,它比实际可控硅的结构多两个分流电阻Rn和Rp,见图1（b）、（c）.若寄生npn和pnp晶体管的电流增益分别为βnpn和βpnp,这时导通条件便由理想可控硅的βnpn·βpnp=1变为βnpn·βpnp=

【Abstract】 The possibility of eliminating the CMOS latch-up by means of electron irradiationhas been investigated.It appears that the electron irradiation together with a properannealing can significantly reduce the current gain of parasitic npn and pnp transis-tors without any degradation of CMOS papamecers.The characteristics of the devicesafter treatment are rather stable.Therefore electron irradiation might be a plausiblemethod for eliminating CMOS latch-up.

【关键词】 电子辐照； CMOS电路； 电流增益； 它比； 场效应管； 少数载流子； 外延结构； 表面复合速度； 器件工艺； 表面态密度；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1982年06期
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