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关于V形槽的刻蚀技术和VVMOS晶体管的“栅穿”控制

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【作者】 倪锦发； 程东方； 徐志平； 陈佩珍； 高梅娣；

【机构】 上海科大物理系； 上海科大物理系；

【摘要】 VVMOSFET是一种新型的场效应器件。它具有高输入阻抗、高电流增益、高开关速度、无二次击穿等一系列优点。国内外的工作已经表明:在高频大功率,特别是高速大电流的应用场合,VVMOSFET比双极型器件具有更大的优越性。 本文结合400MHz、2.5W 的VVMOS高频高速功率晶体管的研制工作,对V形槽的刻蚀技术和“栅穿”控制这两个关键工艺作探讨。

【关键词】 VVMOS晶体管； 刻蚀技术； V形槽； 场效应器件； 电流增益； 双极型； 高输入阻抗； 开关速度； 光刻胶； 凸棱；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1982年04期
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