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在兰宝石上射频溅射ZnO单晶薄膜的结构及SAW特性

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【作者】 T.Mitsuyu； S.Ono； K.Wasa； 余承杰；

【机构】 松下电器产业公司； 松下电器产业公司 日； 日； 日；

【摘要】 用射频溅射法已在兰宝石的(O001)和(0112)面上外延生长了ZnO单晶薄膜.研究了这些薄膜的晶体结构和电特性.对兰宝石(0112)面上沿ZnO薄膜C轴传播的SAW测量了包括相速度,耦合系数,传播损耗及延迟温度系数等声表面波(SAW)特性.通过中心频率为1050兆赫的滤波器证明了这种结构对于高频SAW器件的可用性.

【关键词】 射频溅射； SAW； ZnO； 兰宝石； 外延生长； 传播损耗； 声表面波； 耦合系数； 生长速率； 晶体结构；
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,1981年01期
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