节点文献

硅材料中的Si-H红外吸收光谱及其相关的键性质

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 崔树范； 麦振洪； 葛培文； 沈德言；

【机构】 中国科学院物理研究所； 中国科学院化学研究所；

【摘要】 <正> 一、引言 关于硅材料中氢的性质和行为的研究历史虽不长,业已展现其实用前景。例如,氢有效地降低无定形硅的能带隙中的态密度而使其具有显著的电学和光学性质,并已在太阳能电池方面获得应用;氢能够钝化(中和)电活性的点缺陷,这种性质有希望改善半导体器件的制造工艺,氢甚至可以同广延性的缺陷相互作用,例如氢抑制硅单晶生长中产生的旋涡缺陷以及诱发一种雪花形缺陷。

【关键词】 硅单晶； 区熔； 旋涡缺陷； 半导体器件； 能带隙； 无定形硅； Si-H； 广延性； 花形； 点缺陷；
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1981年14期
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】190
打印本页
节点文献中：