【作者】 李思渊； 李寿嵩； 张秀文； 杨映虎； 裘会芳； 盂益民； 柳南辉； 郑秩； 马莉莉； 张同军； 田仁杰；
【机构】 兰州大学； 兰州大学；
【摘要】 <正> SiO2/Si界面的一个重要特征是氧空位（或过剩硅离子）和离化施主型界面态这两类主要结构（化学）缺陷所产生的界面正电荷。鉴于金在界面处引入的负电荷对这些固有正电荷的有效补偿,就使得引入金以控制界面净电荷密度成为一个有价值的方法。更多还原
