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GaInAsP双异质结材料的特性测量

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【作者】 陈自姚； 邵永富； 梁琦； 彭瑞伍；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 <正> InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓度,外延层厚度和P—N结位置等参数。电化学C—V法是70年代发展起来的一种新方法,它利用适当的电解液作为可控阳板溶解的介质,同时与半导体形成Mott-Schottky接触,达到连续浓度分布测定。该法在测量GaAs材料特性方面已有较大的进展,最近Ambridge报导了n—InP材料的浓度与分布测量结果。但对于多层异质结材料的载流子浓度分布尚未见报导。本文以GaInAsP/InP双异质结液外材料

【关键词】 GaInAsP； 异质结构； 特性测量； 载流子浓度； Schottky； 外延层厚度； 微波器件； 浓度分布； 测量生； 少子；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,1981年02期
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