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InP中低温Zn扩散的研究

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【作者】 张桂成； 徐少华； 水海龙；

【机构】 中国科学院上海冶金所； 中国科学院上海冶金所；

【摘要】 <正> 一、引言随着长波长光纤通信的迅速发展,InGaAsP/InP双异质结发光器件和探测器件已被人们所重视。Zn向InP中的扩散技术,对InGaAsP/InP光源和探测器件的制备是有重要影响的工艺。近年来已有许多研究。为了制备InGaAsP/InP双异质结发光管的需要,我们研究了InP中Zn的低温扩散技术。本文报导的低温双温区扩散工艺,可得到表面光亮,Zn浓度分布均匀,重复性好,无损伤的高浓度表面层。讨论了Zn在InP中扩散时的行为,解释了扩散过程中的异常现象。

【关键词】 异质结； 发光器件； 长波长光纤； 扩散工艺； 探测器件； InP； Zn； 温区； 发光管； 浓度分布；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,1981年02期
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