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GaAs—AlxGa1-xAs双异质结激光器串联电阻的研究

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【作者】 王存达; 虞丽生;

【机构】 北京大学物理系; 北京大学物理系;

【摘要】 <正> 一、引言GaAs-AlxGa1-xAs双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性和较长的寿命,而且还要求它有良好的电学性质和调制特性。对电学性质的要求包括了串联电阻。激光器的串联电阻大,会降低它的功率效率,要求信号系统输出较大的功率,增高工作时的结温,这加速了老化。目前国内研制的GaAs-AlxGa1-xAs激光器的串联电阻一般都偏大。

  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,1981年02期
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