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用脉冲激光束在n型GaAs上制备欧姆接触

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【作者】 吴恒显； 林成鲁； 吴鼎芬； 柳襄怀； 陈芬扣； 邬慧娟；

【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所； 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 <正> 欧姆接触是半导体器件工艺的基本环节之一,制得低而稳定的接触电阻对器件性能的改进有很大意义.n型GaAs欧姆接触合金目前普遍采用以AuGe共晶为基加入不同量的Ni合金,但加热合金化有缩球现象、不均匀性和表面粗糙的缺点,对器件性能带来影响.近年来,不少学者以红宝石脉冲激光器、氩离子连续激光器等进行激光合金化,得到了良好的欧姆接触.

【关键词】 欧姆接触； 脉冲激光； 器件性能； 半导体器件； 激光合金化； 热合金； 合金层； 外延层； 共晶； 接触电阻；
  • 【文献出处】 自然杂志 ,Nature Magazine , 编辑部邮箱 ,1980年06期
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