【作者】 曾庆城； 钟仕科； 倪敏； 王水凤；
【机构】 江西大学物理系； 江西大学物理系；
【摘要】 采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。更多还原
