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用扫描电镜观察氧化铅靶层P-I-N结

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【作者】 孔光临； 邓礼生； 冯紫英； 陆颖； 郁春英；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院电子学研究所； 中国科学院电子学研究所；

【摘要】 <正> 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显

【关键词】 光电导； 摄象管； 反向偏压； 暗电流； 单晶半导体； 通常方法； 透明电极； P-I-N； 疏松层； 分辨力；
  • 【文献出处】 电子学通讯 , 编辑部邮箱 ,1979年03期
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