硅光敏管短波响应的改善

【摘要】 讨论了改善硅光敏管短波响应的诸因素。短波灵敏度的提高要求减少结深、提高扩散基区的少子寿命、降低掺杂浓度、减少复合中心和杀寿命杂质的沾污以及减少缺陷。扩散基区的漂移场对光生少子的收集是极其有利的,材料电阻率选高些使耗尽层宽些也是可取的。重要的问题是要尽量避免和减薄“死层”的厚度。实验器件显著改善了短波端的灵敏度,器件可以应用到近3500埃的近紫外。在4000埃有约10微安/微瓦的灵敏度,对实验器件提出了一种新的计算分析方法,只需简单的运算便可估算出器件的光谱响应峰值及响应的分布曲线,而不需解繁复的方程和用计算机处理冗长的解,提出的方法与实验结果相吻合。更多还原